半導體材料可以分為晶圓材料和封裝材料，封裝材料相較于晶圓制造材料來(lái)說(shuō)技術(shù)壁壘相對較低，所以我們主要講的是晶圓制造材料。半導體材料市場(chǎng)占比在3%左右的濺射靶材。簡(jiǎn)單地說(shuō)，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，通過(guò)更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。科技日報：ITO靶材是35項卡脖子技術(shù)之一。2018年，尤特成立ITO靶材部，目前已量產(chǎn)達到國際水平的ITO靶材，打破國外對ITO靶材的壟斷，為客戶(hù)提供磁控濺射鍍膜行業(yè)全棧式服務(wù)。

國內濺射靶材制造水平達到先進(jìn)水平，但規模和體量尚小，目前處于快速成長(cháng)階段。濺射靶材行業(yè)在我國起步較晚，目前仍然屬于一個(gè)較新的行業(yè)。近年來(lái)，隨著(zhù)下游產(chǎn)業(yè)向轉移，國產(chǎn)靶材已開(kāi)始實(shí)現打破。預計2022年大部分國家顯示面板整體規模將超1300億美元，LCD面板占比約70%。中小尺寸OLED滲透率快速提升，大尺寸LCD占據主流。顯示面板是靶材下游較大的應用領(lǐng)域。平板顯示行業(yè)主要在液晶顯示面板（LCD）和觸控屏面板兩個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節使用靶材。隨著(zhù)顯示屏玻璃基板以及一些設備顯示屏的尺寸逐漸加大，顯示面板用靶材的需求也不斷加大。到2023年，國內顯示面板用靶材市場(chǎng)規模有望達到246億元，占大部分國家比例達到46%。光伏靶材的主要需求來(lái)自薄膜光伏電池和異質(zhì)結（HIT）電池市場(chǎng)規模的擴張。

太陽(yáng)能電池主要包括晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池， PVD 工藝主要應用于薄膜太陽(yáng)能電池中。晶體硅太陽(yáng)能電池效率較高、性能穩定，且各個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節比較成熟，占據了太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的地位。與晶體硅太陽(yáng)能電池相比，薄膜太陽(yáng)能電池材料用量大大減少，從而大幅降低了制造成本和產(chǎn)品價(jià)格，同時(shí)，薄膜太陽(yáng)能電池還具有制造溫度低、應用范圍大等特點(diǎn)。21 世紀以來(lái)，光伏產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展。近年來(lái)，隨著(zhù)國家對環(huán)境保護、節能減排方面的重視，我國太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)在太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的帶動(dòng)下飛速發(fā)展。太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展也給太陽(yáng)能電池用濺射靶材市場(chǎng)帶來(lái)了巨大的成長(cháng)空間， 2015 年太陽(yáng)能電池用濺射靶材市場(chǎng)規模達 18.5 億美元，比 2014 年增長(cháng) 21.7%。目前國內太陽(yáng)能電池主要以硅片涂覆型太陽(yáng)能電池為主，薄膜電池的產(chǎn)量較小，因此濺射靶材市場(chǎng)規模仍較小， 2015 年為 7.5 億元。太陽(yáng)能電池行業(yè)仍然處于產(chǎn)業(yè)上升階段，隨著(zhù)國內薄膜電池生產(chǎn)線(xiàn)的投產(chǎn)，我國太陽(yáng)能電池用濺射靶材市場(chǎng)將持續增長(cháng)。管材。

光伏領(lǐng)域對靶材的使用主要是薄膜電池和HIT光伏電池。其中光伏薄膜電池用靶材主要為方形板狀，純度要求一般在99.99%（4N）以上，僅次于半導體用靶材。目前制備薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等，HIT電池主要使用ITO靶材作為其透明導電薄膜。為了有效地降低磁控濺射的電壓，以達到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用一套特殊的濺射陰極結構和濺射直流電源，射頻電源合理地匹配疊裝在一套6KW的直流電源上，在不同的直流濺射功率和射頻功率下進(jìn)行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。RF DC新型電源的應用和特殊濺射陰極結構的設計也能有效的降低ITO薄膜的濺射電壓。由于高能量電弧離子的作用導致ITO粒子中的In、Sn達到完全離化，從而增強沉積時(shí)的反應活性，達到減少晶體結構缺陷，電阻率的目的。材。

在安裝過(guò)程中不易變形，降低安裝難度，提高合格率。靶材按材料種類(lèi)型分，可分為金屬靶材、合金靶材、化合物靶材。不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管等產(chǎn)業(yè)上獲得了廣泛應用。目前國內氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法。由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場(chǎng)達不到正常磁控濺射時(shí)要求的磁場(chǎng)強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度，將鐵磁性靶材的厚度減薄是解決磁控濺射鐵磁材料靶材的常見(jiàn)方法。如果鐵磁性靶材足夠薄。

芯片制造設備，半導體材料對于芯片產(chǎn)業(yè)的重要性也是不言而喻。半導體材料可以分為晶圓材料和封裝材料,中國的半導體行業(yè)正處于成長(cháng)關(guān)鍵期，材料和技術(shù)仍依賴(lài)***，受到國際市場(chǎng)影響，圍繞半導體行業(yè)的焦慮在持續蔓延。2018年大部分國家半導體規模增速達12.4%。特別是存儲器市場(chǎng)。增速高達61.49%。一方面，存儲芯片需求旺盛，價(jià)格大幅上漲，另一方面，物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、AI等新應用拉動(dòng)下游需求。半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；、引線(xiàn)框架、樹(shù)脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。在芯片制造設備領(lǐng)域。美國、日本、荷蘭依然占主要地位。國內的芯片制造與韓國和歐洲的企業(yè)相比都相距甚遠。

而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。除可濺射導電材料外。也可濺射非導電的材料，同時(shí)還可進(jìn)行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。現在很多廠(chǎng)家對于真空鍍膜設備的維護保養都不是很清楚。真空鍍膜設備每完成200個(gè)鍍膜程序以上，應清潔工作室一次。方法是：用****(NaOH)飽和溶液反復擦洗真空室內壁，(注意人體外表不可以直接接觸****溶液，以免灼傷)目的是使鍍上去的膜料鋁(AL)與NaOH發(fā)生反應，反應后膜層脫落，并釋放出氫氣。再用清水清洗真空室和用布沾汽油清洗精抽閥內的污垢。當粗抽泵(滑閥泵，旋片泵)連續工作一個(gè)月(雨季減半)，需更變新油。方法是：擰開(kāi)放油螺栓，放掉舊油，再將泵啟動(dòng)數秒，使泵內的舊油完全排放出來(lái)。

尤其適用于和氧化物靶材。真空蒸發(fā)鍍膜系統一般由三個(gè)部分組成:真空室、蒸發(fā)源或蒸發(fā)加熱裝置、放置基板及給基板加熱裝置。在真空中為了蒸發(fā)待沉積的材料，需要容器來(lái)支撐或盛裝蒸發(fā)物，同時(shí)需要提供蒸發(fā)熱使蒸發(fā)物達到足夠高的溫度以產(chǎn)生所需的蒸汽壓。圖：真空蒸發(fā)鍍膜工作原理示意圖真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)具有簡(jiǎn)單便利、操作方便、成膜速度快等特點(diǎn)，是應用廣泛的鍍膜技術(shù)，主要應用于光學(xué)元器件、LED、平板顯示和半導體分立器的鍍膜。光學(xué)器件應用范圍非常廣泛，主要包括智能手機、車(chē)載鏡頭、安防監控設備、數碼相機、光碟機、投影機等，元器件及光學(xué)鏡頭。我國濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場(chǎng)影響力相對有限，尤其在半導體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。噴涂話(huà)。

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