ATON 磁控鍍膜線(xiàn)

? 1、設備名稱(chēng)：ATON 1600 真空磁控濺射鍍膜線(xiàn) 2、產(chǎn)地：美國應用材料公司 3、功能：該系統專(zhuān)門(mén)針對光伏太陽(yáng)能所需要的SIN層鍍膜設計，分為7個(gè)真空室：進(jìn)料室、緩沖室、傳輸過(guò)渡室、濺射室1+濺射室2、傳輸過(guò)渡室、緩沖室、出料室。系統整體設計嚴格，采用分子泵高真空機組，配備高濺射效率的平面靶或旋轉靶，采用直流濺射。 設備也可以應用在ITO膜、SIO2膜、金屬膜，應用于如太陽(yáng)能、LO

2015-10-12 面議/臺

旋轉陰較靶

旋轉陰極 特點(diǎn)： 1、采用獨特的磁路設計，突破傳統模式，更符合磁控濺射的理念。 2、采用獨特的結構設計，冷卻充分，可滿(mǎn)足大功率、大電流使用要求。 3、更高的濺射率，離子密度更強。 4、更高的利用率，高達70以上。 5、尺寸范圍：靶材外尺寸70、100、150、250，保持一致的均勻性 6、使用范圍：如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等。 ? 使用領(lǐng)域：裝飾鍍、工具鍍、ITO

2015-10-12 0

大平面陰較濺射靶

大平面濺射陰極 特點(diǎn)： 1、?采用獨特的磁路設計，突破傳統模式，更符合磁控濺射的理念。 2、?采用獨特的結構設計，可以?xún)戎谩⑼庵茫�更符合使用要求�? 3、磁鐵不被冷卻水包圍，減少腐蝕，且保證磁力線(xiàn)的有效曲線(xiàn)分布。 4、獨特的布氣方式，更加保膜層濺射的均勻性，其等離子狀態(tài)更加平衡。 5、?更高的濺射率，離子密度更強。 6、?更高的利用率，高達40%以上。 7、?尺寸范圍：可在300-3

2015-10-12 0

真空鍍膜流水線(xiàn)轉讓或合作

一、公司現有設備介紹： 1、德國馮阿登納真空濺射鍍膜流水線(xiàn)（VON ARDENNE WM 60），該設備有7個(gè)真空箱體，連續式鍍膜方式，配備4個(gè)陰極濺射，可鍍工件尺寸：1200mm*600mm ，配套冷水機組，全自動(dòng)過(guò)程及工藝控制。 2、美國應用材料真空磁控鍍膜流水線(xiàn)（APPLIED? MATERIALS），該設備有5個(gè)真空箱體，連續式鍍膜方式，配備4個(gè)陰極濺射，可鍍工件尺寸：1800mm*1

2015-10-12 0

供應真空連續鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)

1、英文名稱(chēng)：VON ARDENNE WM 60 HCM INLINE-SPUTTERANLAGE 2、中文名稱(chēng)：馮阿登納真空濺射鍍膜流水線(xiàn) 3、產(chǎn)地：德國 4、規格：WM 60 5、功能：適合玻璃連續鍍膜，如太陽(yáng)能、LOW-E、裝飾性膜層，另可以使用于壓克力，不銹鋼板，特殊材料表面處理等。 6、簡(jiǎn)要介紹： 6.1、主體結構：7組真空箱體，連續式，長(cháng)度12.6米 6.2、真空泵

2015-10-12 0

ITO真空鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)

ITO導電玻璃真空鍍膜流水線(xiàn) 該系統專(zhuān)門(mén)針對玻璃鍍ITO膜設計，分為9個(gè)真空室：進(jìn)料室、輝光清洗室、過(guò)渡室、SIO2濺射室、過(guò)渡室、ITO濺射室、傳輸室、緩沖室、出料室。系統整體設計嚴格，采用分子泵高真空機組，可配備高濺射效率的平面靶或旋轉靶，采用直流濺射或中頻濺射，可以率的濺射AL膜、ITO膜、SIO2膜、銀膜、鉻膜、TiO膜等。 一、工藝膜系： 單面結構：Glass/ ITO/SiO2/

2015-10-12 面議/套

供應low-e玻璃鍍膜線(xiàn)二手

預真空室具有雙層基片承載盤(pán)升降機，使得裝卸基片和濺射工藝同時(shí)進(jìn)行，從而實(shí)現 “in-line”連續在線(xiàn)工作方式。由上至下濺射方式，12”x12”尺寸的基片承載盤(pán)，可放置不同尺寸及形狀的基片。基片承載盤(pán)單次/多次掃描沉積方式，準確地控制沉積膜的厚度，不需要膜厚檢測器，避免了因膜厚檢測器的測量誤差以及傳感器的消耗，節省了運行成本。生產(chǎn)量：9個(gè)4” 基片/次，6個(gè)6” 基片/次，1個(gè)12” 基片/次。

2015-10-12 0

供應ITO鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)

預真空室具有雙層基片承載盤(pán)升降機，使得裝卸基片和濺射工藝同時(shí)進(jìn)行，從而實(shí)現 “in-line”連續在線(xiàn)工作方式。由上至下濺射方式，12”x12”尺寸的基片承載盤(pán)，可放置不同尺寸及形狀的基片。基片承載盤(pán)單次/多次掃描沉積方式，準確地控制沉積膜的厚度，不需要膜厚檢測器，避免了因膜厚檢測器的測量誤差以及傳感器的消耗，節省了運行成本。生產(chǎn)量：9個(gè)4” 基片/次，6個(gè)6” 基片/次，1個(gè)12” 基片/次。

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